元智大學李清庭副校長 獲電機工程界最高榮譽「110 年電機工程獎章」

【本報訊】

中國電機工程學會為表揚優秀電機工程師之傑出成就，以激勵其創新奮發之精神，特設有代表電機工程界最高榮譽之學術研究、工程事業兩類工程獎章，於每年會員大會時頒發，每年各頒授一座。元智大學李清庭副校長學養俱豐，長期投入半導體元件及光電元件領域，研究成果斐然，受到電機工程學會高度肯定，獲選為110 年電機工程獎章–學術研究類殊榮。

現任元智大學李清庭副校長兼國立成功大學名譽講座教授，學養俱豐，長期投入半導體元件及光電元件領域，研究成果斐然；開創新的學術領域及開拓學術研發及產業帄台，貢獻良多、功績卓著，足為電機工程師楷模，經中國電機工程學會獎章委員會審議推薦為110 年電機工程獎章–學術研究類得獎人。

（元智大學李清庭副校長獲電機工程界最高榮譽「110 年電機工程獎章」/照片由副校長室提供）

李清庭教授於 1972 年及 1974 年獲得國立成功大學電機系學士及電機研究所碩士，並於1982 年獲得美國卡內基美隆大學(Carnegie-Mellon University)電機博士，於 1976 年迄今為中國電機工程學會永久會員，並由2009 年起迄今擔任理事及相關委員會委員，目前為常務理事，對於學會發展有長久及傑出的貢獻。

李清庭教授在所獲得的諸多獎項及榮譽中，曾榮獲科技部(國科會)傑出研究獎 3 次及第一級主持人一次、IEEE 會士(EDS Fellow 及 LEOS Fellow)、IET 會士、亞太材料科學院院士(Asia-Pacific Academy of Materials Academician)、瑞典國際先進材料學會會士(International Association of Advanced Materials, Fellow)、台灣真空學會會士(Taiwan Vacuum Society, Fellow)、電子元件及材料協會傑出服務獎、光學工程學會工程獎章、中國電機工程學會傑出電機工程教授獎及中國工程師學會傑出工程教授獎，有庠科技獎座獎(光電類)，CMO Asia 亞洲教育卓越獎/ 教 育 領 導 獎 ， 及 瑞 典VEBLEO SCIENTIST AWARD(Vebleo Webinar on Nanomedicine, Nanomaterials and Nanotechnology)。

李清庭教授在半導體元件及光電元件的卓越研發成果由 1995 年迄今在國際 SCI 期刊發表文章 389 篇，在國內外研討會發表 392 篇，除榮獲多次論文獎外，尚多次受邀為 plenary speaker、keynote speaker 及 invited speaker，且多次為研討會的 committee，曾撰寫著作四本英文專書及一本中文專書，在其研發過程中，曾首創設計三部儀器設備:(1)Vapor cooling condensation system，於低溫約 80K 蒸鍍高品質的氧化金屬薄膜(如 ZnO, Ga2O3, InGaZnO 及 ZnBeMgO 等)，在國際上創新成長高絕緣氧化鋅薄膜及 P 型氧化鋅薄膜，並應用於薄膜電晶體、氣體感測器及金氧電晶體中，此外，尚創新在低溫成長氧化金屬薄膜的模型及理論，(2)Laser-assisted plasma enhanced chemical vapor deposition system (LAPECVD):結合 CO2 雷射及 PECVD 系統，使在成長SiO2, Si3N4, SiC 及 SiGe 薄膜時，除能利用原有的電漿解離SiH4 及 GeH4 外，尚可藉由 CO2 雷射輔助解離，因此可以在成長的薄膜中解析出矽奈米顆粒並能降低 Si-H 鍵結密度，以致能有效作為奈米記憶元件，並可提昇矽太陽電池的效率衰減，由此榮獲國際研討會(Optoelectronics and communication conference)傑出論文獎，(3)Photoelectrochemical oxidation and etching system:有見於在矽晶片上能直接成長 SiO2 薄膜，方能成功製作高性能的矽基 MOS 元件及 CMOS 積體電路，為克服在Ⅲ–Ⅴ族半導體直接氧化層的困難，因此設計此系統能直接在 GaAs 及 GaN 晶片上成長高品質閘極氧化層，並改變溶液的 PH 值，可以在無損傷晶片的表面加以蝕刻閘極及奈米多通道，因此在氮化鎵 D-mode 及 E-mode MOSHEMTs 及鰭狀奈米陣列(fin-nanochannel array)MOSHEMTs 有傑出的研究成果，並於 2018 年及 2019 年連續兩年榮獲國際研討會傑出論文獎。

 (元智大學李清庭副校長/照片由副校長室提供）